1、功率MOSFET選型第一步：P管，還是N管？

功率MOSFET有兩種類(lèi)型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜；P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單。

需要考慮N溝道和P溝道的應(yīng)用主要有：

（1）筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器等使用的給CPU和系統(tǒng)散熱的風(fēng)扇，打印機(jī)進(jìn)紙系統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，吸塵器、空氣凈化器、電風(fēng)扇等白家電的電機(jī)控制電路，這些系統(tǒng)使用全橋電路結(jié)構(gòu)，每個(gè)橋臂上管可以使用P管，也可以使用N管。

（2）通信系統(tǒng)48V輸入系統(tǒng)的熱插撥MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。

（3）筆記本電腦輸入回路串聯(lián)的、起防反接和負(fù)載開(kāi)關(guān)作用的二個(gè)背靠背的功率MOSFET，使用N溝道需要控制芯片內(nèi)部集成驅(qū)動(dòng)的充電泵，使用P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)。

2、選取封裝類(lèi)型

功率MOSFET的溝道類(lèi)型確定后，第二步就要確定封裝，封裝選取原則有：

（1）溫升和熱設(shè)計(jì)是選取封裝最基本的要求

不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，除了考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度，如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素，基本原則就是在保證功率MOSFET的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOSFET。

有時(shí)候由于其他條件的限制，需要使用多個(gè)MOSFET并聯(lián)的方式來(lái)解決散熱的問(wèn)題，如在PFC應(yīng)用、電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制器、通信系統(tǒng)的模塊電源次級(jí)同步整流等應(yīng)用中，都會(huì)選取多管并聯(lián)的方式。

（2）系統(tǒng)的尺寸限制

有些電子系統(tǒng)受制于PCB的尺寸和內(nèi)部的高度，如通信系統(tǒng)的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設(shè)計(jì)或由于外殼的限制，裝配時(shí)TO220封裝的功率MOSFET管腳直接插到根部，高度的限制不能使用TO247的封裝。有些超薄設(shè)計(jì)直接將器件管腳折彎平放，這種設(shè)計(jì)生產(chǎn)工序會(huì)變復(fù)雜。

在大容量的鋰電池保護(hù)板的設(shè)計(jì)中，由于尺寸限制極為苛刻，現(xiàn)在大多使用芯片級(jí)的CSP封裝，盡可能的提高散熱性能，同時(shí)保證最小的尺寸。

（3）公司的生產(chǎn)工藝

TO220有二種封裝：裸露金屬的封裝和全塑封裝，裸露金屬的封裝熱阻小，散熱能力強(qiáng)，但在生產(chǎn)過(guò)程中，需要加絕緣墜，生產(chǎn)工藝復(fù)雜成本高，而全塑封裝熱阻大，散熱能力弱，但生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單。

為了減小鎖螺絲的人工工序，近幾年一些電子系統(tǒng)采用夾子將功率MOSFET夾在散熱片中，這樣就出現(xiàn)了將傳統(tǒng)的TO220上部帶孔的部分去除的新的封裝形式，同時(shí)也減小的器件的高度。

（4）成本控制

早期很多電子系統(tǒng)使用插件封裝，這幾年由于人工成本增加，很多公司開(kāi)始改用貼片封裝，雖然貼片的焊接成本比插件高，但是貼片焊接的自動(dòng)化程度高，總體成本仍然可以控制在合理的范圍。在臺(tái)式機(jī)主板、板卡等一些對(duì)成本極其敏感的應(yīng)用中，通常采用DPAK封裝的功率MOSFET，因?yàn)檫@種封裝的成本低。

因此在選擇功率MOSFET的封裝時(shí)，要結(jié)合自己公司的風(fēng)格和產(chǎn)品的特點(diǎn)，綜合考慮上面因素。

3、選取耐壓BVDSS

在大多數(shù)情況下，似乎選取功率MOSFET的耐壓對(duì)于很多工程師來(lái)說(shuō)是最容易的一件事情，因?yàn)樵O(shè)計(jì)的電子系統(tǒng)輸入電壓是相對(duì)固定的，公司選取特定的供應(yīng)商的一些料號(hào)，產(chǎn)品額定電壓也是固定的。例如在筆記本電腦適配器、手機(jī)充電器中，輸入為90～265V的交流，初級(jí)通常選用600V或650V的功率MOSFET；筆記本電腦主板輸入電壓19V，通常選用30V的功率MOSFET，根本不需要任何的考慮。

數(shù)據(jù)表中功率MOSFET的擊穿電壓BVDSS有確定的測(cè)試條件，在不同的條件下具有不同的值，而且BVDSS具有正溫度系數(shù)，在實(shí)際的應(yīng)用中要結(jié)合這些因素綜合考慮。

很多資料和文獻(xiàn)中經(jīng)常提到：如果系統(tǒng)中功率MOSFET的VDS的最高尖峰電壓如果大于BVDSS，即便這個(gè)尖峰脈沖電壓的持續(xù)只有幾個(gè)或幾十個(gè)ns，功率MOSFET也會(huì)進(jìn)入雪崩從而發(fā)生損壞。

不同于三極管和IGBT，功率MOSFET具有抗雪崩的能力，而且很多大的半導(dǎo)體公司功率MOSFET的雪崩能量在生產(chǎn)線上是全檢的、100%檢測(cè)，也就是在數(shù)據(jù)中這是一個(gè)可以保證的測(cè)量值，雪崩電壓通常發(fā)生在1.2～1.3倍的BVDSS，而且持續(xù)的時(shí)間通常都是μs、甚至ms級(jí)，那么持續(xù)只有幾個(gè)或幾十個(gè)ns、遠(yuǎn)低于雪崩電壓的尖峰脈沖電壓是不會(huì)對(duì)功率MOSFET產(chǎn)生損壞的。

為什么在實(shí)際的設(shè)計(jì)中，要求在最極端的情況下，功率MOSFET的最大VDS電壓必須低于BVDSS、同時(shí)還要有一定的降額，如5%，10%，甚至20%的降額？

原因在于：保證電子系統(tǒng)的可生產(chǎn)性，以及在大批量生產(chǎn)時(shí)候的可靠性。

任何電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，實(shí)際的參數(shù)都會(huì)有一定的變化范圍，有時(shí)候很難保證多個(gè)極端的情況碰到一起，從而對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生問(wèn)題，特別是在高溫的條件下，功率器件以及系統(tǒng)的其他元件溫度系數(shù)的漂移會(huì)產(chǎn)生一些難以想象的問(wèn)題，降額以及設(shè)計(jì)的裕量可以盡可能的減小在這些極端條件下發(fā)生損壞的問(wèn)題。

4、由驅(qū)動(dòng)電壓選取VTH

數(shù)據(jù)表中功率MOSFET的閾值電壓VTH也有確定的測(cè)試條件，在不同的條件下具有不同的值，VTH具有負(fù)溫度系數(shù)。不同的驅(qū)動(dòng)電壓VGS對(duì)應(yīng)著不同的導(dǎo)通電阻，在實(shí)際的應(yīng)用中要考慮溫度的變化，既要保證功率MOSFET完全開(kāi)通，同時(shí)又要保證在關(guān)斷的過(guò)程中耦合在G極上的尖峰脈沖不會(huì)發(fā)生誤觸發(fā)產(chǎn)生直通或短路。

5、選取導(dǎo)通電阻RDSON，注意：不是電流

很多時(shí)候工程師關(guān)心RDSON，是因?yàn)镽DSON和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、溫升越低。同樣的，工程師盡可能沿用以前項(xiàng)目中或物料庫(kù)中現(xiàn)有的元件，對(duì)于RDSON的真正的選取方法并沒(méi)有太多的考慮。當(dāng)選用的功率MOSFET的溫升太低，出于成本的考慮，會(huì)改用RDSON大一些的元件；當(dāng)功率MOSFET的溫升太高、系統(tǒng)的效率偏低，就會(huì)改用RDSON小一些的元件，或通過(guò)優(yōu)化外部的驅(qū)動(dòng)電路，改進(jìn)散熱的方式等來(lái)進(jìn)行調(diào)整。

如果是一個(gè)全新的項(xiàng)目，沒(méi)有以前的項(xiàng)目可循，那么如何選取功率MOSFET的RDSON？這里介紹一個(gè)方法給大家：功耗分配法。

當(dāng)設(shè)計(jì)一個(gè)電源系統(tǒng)的時(shí)候，已知條件有：輸入電壓范圍、輸出電壓/輸出電流、效率、工作頻率、驅(qū)動(dòng)電壓，當(dāng)然還有其他的技術(shù)指標(biāo)和功率MOSFET相關(guān)的主要是這些參數(shù)。步驟如下：

（1）根據(jù)輸入電壓范圍、輸出電壓/輸出電流、效率，計(jì)算系統(tǒng)的最大損耗。

（2）功率回路的雜散損耗，非功率回路元件的靜態(tài)損耗，IC的靜態(tài)損耗以及驅(qū)動(dòng)損耗，做大致的估算，經(jīng)驗(yàn)值可以占總損耗的10%～15%。如果功率回路有電流取樣電阻，計(jì)算電流取樣電阻的功耗。總損耗減去上面的這些損耗，剩下部分就是功率器件、變壓器或電感的功率損耗。

將剩下的功率損耗按一定的比例分配到功率器件和變壓器或電感中，不確定的話，按元件數(shù)目平均分配，這樣就得到每個(gè)MOSFET的功率損耗。

（3）將MOSFET的功率損耗，按一定的比例分配給開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，不確定的話，平均分配開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。

（4）由MOSFET導(dǎo)通損耗和流過(guò)的有效值電流，計(jì)算最大允許的導(dǎo)通電阻，這個(gè)電阻是MOSFET在最高工作結(jié)溫的RDSON。

數(shù)據(jù)表中功率MOSFET的RDSON標(biāo)注有確定的測(cè)試條件，在不同的定義的條件下具有不同的值，測(cè)試的溫度為：TJ=25℃，RDSON具有正溫度系數(shù)，因此根據(jù)MOSFET最高的工作結(jié)溫和RDSON溫度系數(shù)，由上述RDSON計(jì)算值，得到25℃溫度下對(duì)應(yīng)的RDSON。

（5）由25℃的RDSON來(lái)選取型號(hào)合適的功率MOSFET，根據(jù)MOSFET的RDSON實(shí)際參數(shù)，向下或向上修整。

通過(guò)以上步驟，就初步選定功率MOSFET的型號(hào)和RDSON參數(shù)。

很多資料和文獻(xiàn)中，經(jīng)常計(jì)算系統(tǒng)的最大電流，然后進(jìn)行降額，由功率MOSFET數(shù)據(jù)表的電流值來(lái)選取器件，這種方法是不對(duì)的。

功率MOSFET的電流是一個(gè)計(jì)算值，而且是基于TC=25℃，也沒(méi)有考慮開(kāi)關(guān)損耗，因此這種方法和實(shí)際的應(yīng)用差距太大，沒(méi)有參考價(jià)值。在一些有大電流沖擊要求有短路保護(hù)的應(yīng)用中，會(huì)校核數(shù)據(jù)表中的最大漏極脈沖電流值及其持續(xù)時(shí)間，這個(gè)和選取RDSON沒(méi)有直接的關(guān)系。

6、選取開(kāi)關(guān)特性：Crss、Coss、Ciss；Qg、Qgd、Qoss

功率MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)損耗主要和這些開(kāi)關(guān)特性參數(shù)有關(guān)。QG影響驅(qū)動(dòng)損耗，這一部分損耗并不消耗在功率MOSFET中，而且是消耗在驅(qū)動(dòng)IC中。QG越大，驅(qū)動(dòng)損耗越大。

基于RDSON選取了功率MOSFET的型號(hào)后，這些開(kāi)關(guān)特性參數(shù)都可以在數(shù)據(jù)表中查到，然后根據(jù)這些參數(shù)計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗。

7、熱設(shè)計(jì)及校核

根據(jù)選取的功率MOSFET的數(shù)據(jù)表和系統(tǒng)的工作狀態(tài)，計(jì)算其導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，由總的功率損耗和工作的環(huán)境溫度計(jì)算MOSFET的最高結(jié)溫，校核其是否在設(shè)計(jì)的范圍。所有條件基于最?lèi)毫拥臈l件，然后由計(jì)算的結(jié)果做相應(yīng)的調(diào)整。

如果總的損耗偏大，大于分配的功率損耗，那么就要重新選取其他型號(hào)的功率MOSFET，可以查看比選取的功率MOSFE的RDSON更大或更小的其他型號(hào)，再次校核總的功率損耗，上述過(guò)程通常要配合第5、6步，經(jīng)過(guò)幾次的反復(fù)校驗(yàn)，最后確定與設(shè)計(jì)相匹配的型號(hào)，直到滿(mǎn)足設(shè)計(jì)的要求。

有時(shí)候由于產(chǎn)品型號(hào)的限制找不到參數(shù)合適的產(chǎn)品，可以采用以下的方法：

（1）使用多管并聯(lián)的方式，來(lái)解決散熱和溫升的問(wèn)題。

（2）將功率損耗重新分配，變壓器或電感、其他的功率元件分配更多的功耗。更改功率分配的時(shí)候，也要保證其他元件的溫升滿(mǎn)足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求。

（3）如果系統(tǒng)允許，改變散熱的方式或加大散熱器的尺寸。

（4）其他因素，調(diào)整工作頻率、更改電路結(jié)構(gòu)等，如PFC采用交錯(cuò)結(jié)構(gòu)，采用LLC或其他軟開(kāi)關(guān)電路。

8、校核二極管特性

在橋式電路中如全橋、半橋、LLC以及BUCK電路的下管，有內(nèi)部寄生二極管的反向恢復(fù)的問(wèn)題，最簡(jiǎn)單的方法就是采用內(nèi)部帶快恢復(fù)二極管的功率MOSFET，如果內(nèi)部不帶快恢復(fù)二極管，就要考慮內(nèi)部寄生二極管的反向恢復(fù)特性：Irrm、Qrr、trr、trr1/trr2，如trr要小于250ns，這些參數(shù)影響著關(guān)斷的電壓尖峰、效率，以及可靠性，如在LLC的起動(dòng)、短路中，系統(tǒng)進(jìn)入容性模式、若二極管反向恢復(fù)性能較差，容易產(chǎn)生上下管直通而損壞的問(wèn)題。如果控制器具有容性模式保護(hù)功能，就不用考慮這個(gè)因素。

9、雪崩能量及UIS、dv/dt

雪崩能量及測(cè)試的條件參考下面的文章，有非常詳細(xì)的詳明。除了反激和一些電機(jī)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用，大多結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生這種單純的電壓箝位的雪崩，很多應(yīng)用情況下，二極管反向恢復(fù)過(guò)程中dv/dt、過(guò)溫以及大電流的綜合作用產(chǎn)生動(dòng)態(tài)雪崩擊穿損壞，相關(guān)的內(nèi)容可參考文章。

10、其他參數(shù)

內(nèi)部RG的大小、負(fù)載開(kāi)關(guān)和熱插撥工作在線性區(qū)的問(wèn)題、SOA特性，和EMI相關(guān)的參數(shù)、等等。